Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Marca: SAMSUNG
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SKU:
110346
PRC:
594605
EAN:
8806095811703
PN:
MZ-VAP4T0BW?NL
Descripción
El Samsung MZ-VAP4T0 es un disco SSD de 4 TB con factor de forma M.2 y tipo de memoria V-NAND TLC, diseñado para PC y ordenador portátil. Conecta mediante interfaz PCI Express 5.0 con carriles x4 y protocolo NVMe, y alcanza una velocidad de lectura de 14800 MB/s y una velocidad de escritura de 13400 MB/s, con 2200000 IOPS en lectura aleatoria de 4KB y 2600000 IOPS en escritura aleatoria de 4KB. Su voltaje de operación es de 3,3 V, pesa 9 g y mide 80,2 x 22,1 x 2,38 mm. Incorpora cifrado de hardware con algoritmos de seguridad soportados de 256-bit AES y soporta S.M.A.R.T., TRIM y la función DevSleep. Su tiempo medio entre fallos es de 1500000 h.
Especificaciones
Características
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 4 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Sí
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/ordenador portátil
- Encriptación de hardware: Sí
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Sí
Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 9 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 8,2 W
Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
Otras características
- Periodo de garantía: 5 año(s)
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