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Description

Le Samsung MZ-VAP4T0 est un disque SSD de 4 To au format M.2 et de type de mémoire V-NAND TLC, conçu pour PC et ordinateur portable. Il se connecte via une interface PCI Express 5.0 avec des lignes x4 et un protocole NVMe, et atteint une vitesse de lecture de 14800 Mo/s et une vitesse d'écriture de 13400 Mo/s, avec 2200000 IOPS en lecture aléatoire de 4 Ko et 2600000 IOPS en écriture aléatoire de 4 Ko. Sa tension de fonctionnement est de 3,3 V, il pèse 9 g et mesure 80,2 x 22,1 x 2,38 mm. Il intègre un chiffrement matériel avec des algorithmes de sécurité pris en charge de 256 bits AES et prend en charge S.M.A.R.T., TRIM et la fonction DevSleep. Son temps moyen entre pannes est de 1500000 h.

Caractéristiques techniques

Caractéristiques


  • Flux de données d'interface PCI Express: x4
  • Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif): Oui
  • Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES
  • Capacité du Solid State Drive (SSD): 4 To
  • Facteur de forme SSD: M.2
  • Interface: PCI Express 5.0
  • NVMe: Oui
  • Type de mémoire: V-NAND TLC
  • composant pour: PC/ordinateur portable
  • Le chiffrement matériel: Oui
  • Vitesse de lecture: 14800 Mo/s
  • Vitesse d'écriture: 13400 Mo/s
  • Lecture aléatoire (4KB): 2200000 IOPS
  • Écriture aléatoire (4KB): 2600000 IOPS
  • Support S.M.A.R.T.: Oui
  • Support TRIM: Oui
  • Temps moyen entre pannes: 1500000 h

Puissance


  • Tension de fonctionnement: 3,3 V
  • Consommation électrique moyenne (lecture): 9 W
  • Consommation électrique moyenne (écriture): 8,2 W

Poids et dimensions


  • Largeur: 80,2 mm
  • Profondeur: 2,38 mm
  • Hauteur: 22,1 mm
  • Poids: 9 g

Informations sur l'emballage


  • Type d'emballage: Boîte

Conditions environnementales


  • Température d'opération: 0 - 70 °C
  • Choc durant le fonctionnement: 1500 G

Autres caractéristiques


  • Période de garantie: 5 année(s)

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