Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
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SKU:
134345
PRC:
664853
EAN:
8806099020705
PN:
MZ-V9V2T0BW
Descripción
Especificaciones
Características
- Versión NVMe: 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES, TCG Opal 2.0
- SDD, capacidad: 2 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 4.0
- NVMe: Sí
- Tipo de memoria: V-NAND
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Sí
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura: 7250 MB/s
- Velocidad de escritura: 6450 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Sí
- Revisión PCI Express CEM: 4.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de energía (lectura): 4,3 W
- Consumo de energía (escritura): 3,8 W
- Consumo de energía (espera): 0,055 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 3 mW
Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
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