Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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SKU:
119698
PRC:
609825
EAN:
8806095811680
PN:
MZ-VAP8T0BW
Descripción
El SSD Samsung MZ-VAP8T0 de 8 TB en formato M.2 utiliza la interfaz PCI Express 5.0 y memoria V-NAND TLC para ofrecer velocidades de lectura de 14800 MB/s y escritura de 13400 MB/s. Con soporte NVMe y cuatro carriles de datos, alcanza hasta 2200000 IOPS en lectura aleatoria y 2600000 IOPS en escritura aleatoria de 4KB, pensado para cargas de trabajo exigentes en PC o portátil. Incluye cifrado de hardware con algoritmo 256-bit AES, funciones S.M.A.R.T., TRIM y DevSleep, además de un tiempo medio entre fallos de 1500000 horas. Opera a 3,3 V, ideal para equipos que necesiten almacenamiento de alta capacidad con rendimiento sostenido.
Especificaciones
Características
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 8 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Sí
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/ordenador portátil
- Encriptación de hardware: Sí
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Sí
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 3,88 mm
- Altura: 22,1 mm
Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
Otras características
- Periodo de garantía: 5 año(s)
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