Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Marca: SAMSUNG
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SKU:
110345
PRC:
594604
EAN:
8806095811710
PN:
MZ-VAP2T0BW?NL
Descripción
El Samsung MZ-VAP2T0 es un disco SSD de 2 TB con factor de forma M.2 y tamaño 2280 de 22 x 80 mm, pensado para PC o consola de videojuegos. Su interfaz PCI Express 5.0 con cuatro carriles aprovecha la memoria V-NAND TLC para alcanzar velocidades de lectura de 14700 MB/s y de escritura de 13400 MB/s. En operaciones aleatorias de 4KB logra 1850000 IOPS de lectura y 2600000 IOPS de escritura, con una conexión NVMe que agiliza el acceso a los datos. Incorpora encriptación de hardware con algoritmos de 256-bit AES y soporte S.M.A.R.T., además de TRIM y la función DevSleep. Su tiempo medio entre fallos es de 1500000 h. Todo ello en un formato compacto de 80,2 x 22,1 x 2,38 mm y un peso de 9 g.
Especificaciones
Características
- Versión NVMe: 2.0
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Sí
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 2 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Sí
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Sí
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 8,1 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,9 W
Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
Otras características
- Periodo de garantía: 5 año(s)
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