Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Mais informações
Marca: SAMSUNG
Stock disponível: 15 uds.
Descrição
O Samsung MZ-VAP4T0 é um disco SSD de 4 TB com fator de forma M.2 e tipo de memória V-NAND TLC, concebido para PC e computador portátil. Liga-se através de interface PCI Express 5.0 com vias x4 e protocolo NVMe, e alcança uma velocidade de leitura de 14800 MB/s e uma velocidade de escrita de 13400 MB/s, com 2200000 IOPS em leitura aleatória de 4KB e 2600000 IOPS em escrita aleatória de 4KB. A sua voltagem de funcionamento é de 3,3 V, pesa 9 g e mede 80,2 x 22,1 x 2,38 mm. Incorpora cifra de hardware com algoritmos de segurança suportados de 256-bit AES e suporta S.M.A.R.T., TRIM e a função DevSleep. O seu tempo médio entre falhas é de 1500000 h.
Especificações
Características
- Codificação / segurança: 256-bit AES
- Capacidade da drive SSD: 4 TB
- Fator de forma SSD: M.2
- Interface: PCI Express 5.0
- NVMe: Sim
- Tipo de memória: V-NAND TLC
- Componente para: PC/Laptop
- Encriptação de hardware: Sim
- Velocidade de leitura: 14800 MB/s
- Faixas de dados de interface PCI Express: x4
- Velocidade de escrita: 13400 MB/s
- Funcionalidade DevSlp (temporizador de modo de espera): Sim
- Leitura aleatória (4KB): 2200000 IOPS
- Escrita aleatória (4KB): 2600000 IOPS
- Compatível com S.M.A.R.T.: Sim
- Suporte TRIM: Sim
- MTBF: 1500000 h
Gestão de energia
- Voltagem operativa: 3,3 V
- Média de consumo energético (leitura): 9 W
- Média de consumo energético (escrita): 8,2 W
Pesos e dimensões
- Largura: 80,2 mm
- Profundidade: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
Embalagem
- Tipo de embalagem: Caixa
Condições ambientais
- Temperatura de funcionamento (T-T): 0 - 70 °C
- Choque operacional: 1500 G
Outras características
- Período de garantia: 5 ano(s)
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