Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Marca: SAMSUNG
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SKU:
110344
PRC:
594602
EAN:
8806095811628
PN:
MZ-VAP1T0BW?NL
Descripción
El disco SSD Samsung MZ-VAP1T0, con 1 TB de capacidad y formato M.2 2280, ofrece velocidades de lectura de hasta 14700 MB/s y de escritura de hasta 13300 MB/s mediante interfaz PCI Express 5.0 y controlador NVMe 2.0. Este modelo utiliza memoria V-NAND TLC y alcanza hasta 1850000 IOPS en lectura aleatoria y 2600000 en escritura aleatoria, con un tiempo medio entre fallos de 1500000 horas. Incorpora cifrado por hardware con algoritmo 256-bit AES, así como soporte para S.M.A.R.T., TRIM y DevSleep, siendo compatible tanto con PC como con consolas de videojuegos. Su diseño de cuatro carriles PCI Express x4 asegura un alto rendimiento para cargas intensivas.
Especificaciones
Características
- Versión NVMe: 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 1 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Sí
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Sí
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Sí
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 7,6 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,2 W
Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
Otras características
- Periodo de garantía: 5 año(s)
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