Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Marca: SAMSUNG
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SKU:
110347
PRC:
594607
EAN:
8806095811673
PN:
MZ-VAP1T0CW
Descripción
El Samsung MZ-VAP1T0 es un disco SSD de 1 TB con factor de forma M.2 y tamaño 2280, de 22 x 80 mm, que se conecta mediante interfaz PCI Express 5.0 con x4 carriles y versión NVMe 2.0, por lo que resulta adecuado tanto para PC como para consola de videojuegos. Su memoria V-NAND TLC alcanza una velocidad de lectura de 14700 MB/s y una velocidad de escritura de 13300 MB/s, con 1850000 IOPS en lectura aleatoria de 4KB y 2600000 IOPS en escritura aleatoria de 4KB. Incorpora encriptación de hardware y soporte S.M.A.R.T., además de función DevSleep y soporte TRIM. Presenta un tiempo medio entre fallos de 1500000 h y un peso de 30 g, con unas medidas de 80,2 x 25 x 8,88 mm (ancho x alto x fondo).
Especificaciones
Características
- Versión NVMe: 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 1 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Sí
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Sí
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Sí
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 7,6 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,2 W
Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 8,88 mm
- Altura: 25 mm
- Peso: 30 g
Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
Otras características
- Periodo de garantía: 5 año(s)
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