Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Marca: SAMSUNG
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SKU:
108945
PRC:
560695
EAN:
8806095575674
PN:
MZ-V9S1T0BW
Descripción
El SSD Samsung MZ-V9S1T0 de 1 TB es una unidad de almacenamiento interna con formato M.2 de tamaño 2280 (22 x 80 mm), pensada para montarse en un PC. Su interfaz PCI Express 4.0 y la versión NVMe 2.0 le permiten alcanzar una velocidad de lectura de 7150 MB/s y una velocidad de escritura de 6300 MB/s, con 850000 IOPS en lectura aleatoria de 4 KB y 1350000 IOPS en escritura aleatoria de 4 KB. Utiliza memoria V-NAND TLC y ofrece un tiempo medio entre fallos de 1500000 h. Incorpora encriptación de hardware con algoritmos de 256-bit AES, además de soporte S.M.A.R.T., TRIM y la función DevSleep. Sus medidas son de 80,2 x 22,1 x 2,38 mm y su peso de 9 g, por lo que apenas añade volumen al equipo donde lo instales.
Especificaciones
Características
- Versión NVMe: 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 1 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 4.0
- NVMe: Sí
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC
- Función DevSleep: Sí
- Encriptación de hardware: Sí
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura: 7150 MB/s
- Velocidad de escritura: 6300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1350000 IOPS
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 4,3 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 4,2 W
Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
Condiciones ambientales
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
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