Beschreibung
Der Samsung MZ-VAP4T0 ist eine 4-TB-SSD im M.2-Formfaktor mit V-NAND-TLC-Speichertyp, entwickelt für PC und Notebook. Er verbindet über die PCI-Express-5.0-Schnittstelle mit x4-Lanes und NVMe-Protokoll und erreicht eine Lesegeschwindigkeit von 14800 MB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von 13400 MB/s, mit 2200000 IOPS beim randomisierten Lesen von 4KB und 2600000 IOPS beim randomisierten Schreiben von 4KB. Seine Betriebsspannung beträgt 3,3 V, er wiegt 9 g und misst 80,2 x 22,1 x 2,38 mm. Er verfügt über Hardwareverschlüsselung mit unterstützten Sicherheitsalgorithmen von 256-Bit-AES und unterstützt S.M.A.R.T., TRIM und die DevSleep-Funktion. Seine mittlere Ausfallzeit beträgt 1500000 h.
Angaben
Merkmale
- Speichertyp: V-NAND TLC
- Komponente für: PC/Laptop
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- Lesegeschwindigkeit: 14800 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s
- Zufälliges Lesen (4KB): 2200000 IOPS
- Zufälliges Schreiben (4KB): 2600000 IOPS
- PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4
- DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung: Ja
- S.M.A.R.T. Unterstützung: Ja
- TRIM-Unterstützung: Ja
- Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
- Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
- SSD Speicherkapazität: 4 TB
- SSD-Formfaktor: M.2
- Schnittstelle: PCI Express 5.0
- NVMe: Ja
Energie
- Arbeitsspannung: 3,3 V
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 9 W
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 8,2 W
Gewicht und Abmessungen
- Breite: 80,2 mm
- Tiefe: 2,38 mm
- Höhe: 22,1 mm
- Gewicht: 9 g
Verpackungsdaten
- Verpackungsart: Box
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
- Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
Sonstige Funktionen
- Garantiezeit: 5 Jahr(e)
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