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Descrizione

Il Samsung MZ-VAP4T0 è un disco SSD da 4 TB con fattore di forma M.2 e tipo di memoria V-NAND TLC, progettato per PC e computer portatile. Si connette tramite interfaccia PCI Express 5.0 con linee x4 e protocollo NVMe, e raggiunge una velocità di lettura di 14800 MB/s e una velocità di scrittura di 13400 MB/s, con 2200000 IOPS in lettura casuale da 4KB e 2600000 IOPS in scrittura casuale da 4KB. La sua tensione operativa è di 3,3 V, pesa 9 g e misura 80,2 x 22,1 x 2,38 mm. Incorpora cifratura hardware con algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES e supporta S.M.A.R.T., TRIM e la funzione DevSleep. Il suo tempo medio tra i guasti è di 1500000 h.

Specifiche

Caratteristiche


  • Linee dati dell'interfaccia PCI Express: x4
  • Supporto di DevSIp (standby del dispositivo): Sì
  • Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES
  • Capacità SSD: 4 TB
  • Dimensione SSD: M.2
  • Interfaccia: PCI Express 5.0
  • NVMe: Sì
  • Tipo memoria: V-NAND TLC
  • Componente per: PC/PC portatile
  • criptaggio hardware: Sì
  • Velocità di lettura: 14800 MB/s
  • Velocità di scrittura: 13400 MB/s
  • Lettura casuale (4KB): 2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Scrittura casuale (4KB): 2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Supporto S.M.A.R.T.: Sì
  • Supporto TRIM: Sì
  • Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 h

Gestione energetica


  • Tensione di esercizio: 3,3 V
  • Consumo energetico medio (lettura): 9 W
  • Consumo energetico medio (scrittura): 8,2 W

Dimensioni e peso


  • Larghezza: 80,2 mm
  • Profondità: 2,38 mm
  • Altezza: 22,1 mm
  • Peso: 9 g

Dati su imballaggio


  • Tipo di imballo: Scatola

Condizioni ambientali


  • Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C
  • Shock di funzionamento: 1500 G

Altre caratteristiche


  • Durata della garanzia: 5 anno/i

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