Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Marca: SAMSUNG
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SKU:
110349
PRC:
594610
EAN:
8806095811659
PN:
MZ-VAP4T0CW
Descrição
O Samsung MZ-VAP4T0 é um disco SSD de 4 TB com formato M.2 2280, de 22 x 80 mm, que se liga através de interface PCI Express 5.0 com quatro canais. Alcança velocidades de leitura de até 14800 MB/s e de escrita de até 13400 MB/s, com 2200000 IOPS em leitura aleatória de 4 KB e 2600000 IOPS em escrita aleatória. Integra memória V-NAND TLC e é compatível com NVMe, além de contar com suporte S.M.A.R.T., TRIM e função DevSleep. A encriptação de hardware com algoritmos de 256-bit AES protege os dados, e o seu tempo médio entre falhas é de 1500000 horas. Está pensado para utilização em PC e consolas de videojogos. Com um peso de 30 g e umas medidas de 80,2 x 25 x 8,88 mm (largura x altura x profundidade), instala-se em ranhuras M.2 compatíveis.
Especificações
Características
- Versão NVMe: 2.0
- Codificação / segurança: 256-bit AES
- Capacidade da drive SSD: 4 TB
- Fator de forma SSD: M.2
- Interface: PCI Express 5.0
- NVMe: Sim
- Tipo de memória: V-NAND TLC
- Componente para: PC/Consola de jogos
- Encriptação de hardware: Sim
- Tamanho do SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidade de leitura: 14800 MB/s
- Velocidade de escrita: 13400 MB/s
- Leitura aleatória (4KB): 2200000 IOPS
- Escrita aleatória (4KB): 2600000 IOPS
- Faixas de dados de interface PCI Express: x4
- Funcionalidade DevSlp (temporizador de modo de espera): Sim
- Compatível com S.M.A.R.T.: Sim
- Suporte TRIM: Sim
- MTBF: 1500000 h
Gestão de energia
- Voltagem operativa: 3,3 V
- Média de consumo energético (leitura): 9 W
- Média de consumo energético (escrita): 8,2 W
Pesos e dimensões
- Largura: 80,2 mm
- Profundidade: 8,88 mm
- Altura: 25 mm
- Peso: 30 g
Embalagem
- Tipo de embalagem: Caixa
Condições ambientais
- Temperatura de funcionamento (T-T): 0 - 70 °C
- Choque operacional: 1500 G
Outras características
- Período de garantia: 5 ano(s)
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