Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Marca: SAMSUNG
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SKU:
110344
PRC:
594602
EAN:
8806095811628
PN:
MZ-VAP1T0BW?NL
Descrição
O disco SSD Samsung MZ-VAP1T0, com 1 TB de capacidade e formato M.2 2280, oferece velocidades de leitura até 14700 MB/s e de escrita até 13300 MB/s através da interface PCI Express 5.0 e controlador NVMe 2.0. Este modelo utiliza memória V-NAND TLC e alcança até 1850000 IOPS em leitura aleatória e 2600000 em escrita aleatória, com um tempo médio entre falhas de 1500000 horas. Incorpora encriptação por hardware com algoritmo AES de 256 bits, bem como suporte para S.M.A.R.T., TRIM e DevSleep, sendo compatível tanto com PC como com consolas de videojogos. O seu design de quatro pistas PCI Express x4 assegura um alto desempenho para cargas intensivas.
Especificações
Características
- Codificação / segurança: 256-bit AES
- Capacidade da drive SSD: 1 TB
- Fator de forma SSD: M.2
- Interface: PCI Express 5.0
- NVMe: Sim
- Tipo de memória: V-NAND TLC
- Componente para: PC/Consola de jogos
- Encriptação de hardware: Sim
- Tamanho do SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidade de leitura: 14700 MB/s
- Velocidade de escrita: 13300 MB/s
- Leitura aleatória (4KB): 1850000 IOPS
- Escrita aleatória (4KB): 2600000 IOPS
- Faixas de dados de interface PCI Express: x4
- Funcionalidade DevSlp (temporizador de modo de espera): Sim
- Compatível com S.M.A.R.T.: Sim
- Suporte TRIM: Sim
- MTBF: 1500000 h
- Versão NVMe: 2.0
Gestão de energia
- Voltagem operativa: 3,3 V
- Média de consumo energético (leitura): 7,6 W
- Média de consumo energético (escrita): 7,2 W
Pesos e dimensões
- Largura: 80,2 mm
- Profundidade: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
Embalagem
- Tipo de embalagem: Caixa
Condições ambientais
- Temperatura de funcionamento (T-T): 0 - 70 °C
- Choque operacional: 1500 G
Outras características
- Período de garantia: 5 ano(s)
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