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Descrizione

Il disco SSD Samsung MZ-VAP1T0, con capacità di 1 TB e formato M.2 2280, offre velocità di lettura fino a 14700 MB/s e di scrittura fino a 13300 MB/s tramite interfaccia PCI Express 5.0 e controller NVMe 2.0. Questo modello utilizza memoria V-NAND TLC e raggiunge fino a 1850000 IOPS in lettura casuale e 2600000 in scrittura casuale, con un tempo medio tra guasti di 1500000 ore. Incorpora crittografia hardware con algoritmo AES a 256 bit, oltre al supporto per S.M.A.R.T., TRIM e DevSleep, essendo compatibile sia con PC che con console per videogiochi. Il suo design a quattro corsie PCI Express x4 assicura elevate prestazioni per carichi intensivi.

Specifiche

Caratteristiche


  • Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES
  • Capacità SSD: 1 TB
  • Dimensione SSD: M.2
  • Interfaccia: PCI Express 5.0
  • NVMe:
  • Tipo memoria: V-NAND TLC
  • Versione di NVMe: 2.0
  • Componente per: PC/console di gioco
  • criptaggio hardware:
  • Dimensioni dell'unità SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
  • Velocità di lettura: 14700 MB/s
  • Velocità di scrittura: 13300 MB/s
  • Lettura casuale (4KB): 1850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Scrittura casuale (4KB): 2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Linee dati dell'interfaccia PCI Express: x4
  • Supporto di DevSIp (standby del dispositivo):
  • Supporto S.M.A.R.T.:
  • Supporto TRIM:
  • Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 h

Gestione energetica


  • Tensione di esercizio: 3,3 V
  • Consumo energetico medio (lettura): 7,6 W
  • Consumo energetico medio (scrittura): 7,2 W

Dimensioni e peso


  • Larghezza: 80,2 mm
  • Profondità: 2,38 mm
  • Altezza: 22,1 mm
  • Peso: 9 g

Dati su imballaggio


  • Tipo di imballo: Scatola

Condizioni ambientali


  • Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C
  • Shock di funzionamento: 1500 G

Altre caratteristiche


  • Durata della garanzia: 5 anno/i

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