Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 1 TB
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SKU:
110344
PRC:
594602
EAN:
8806095811628
PN:
MZ-VAP1T0BW?NL
Description
Le SSD Samsung MZ-VAP1T0, d'une capacité de 1 To et au format M.2 2280, offre des vitesses de lecture allant jusqu'à 14700 Mo/s et d'écriture jusqu'à 13300 Mo/s via l'interface PCI Express 5.0 et le contrôleur NVMe 2.0. Ce modèle utilise de la mémoire V-NAND TLC et atteint jusqu'à 1850000 IOPS en lecture aléatoire et 2600000 en écriture aléatoire, avec un temps moyen entre pannes de 1500000 heures. Il intègre un chiffrement matériel avec l'algorithme AES 256 bits, ainsi qu'une prise en charge de S.M.A.R.T., TRIM et DevSleep, étant compatible aussi bien avec les PC qu'avec les consoles de jeux vidéo. Sa conception à quatre voies PCI Express x4 assure des performances élevées pour les charges intensives.
Caractéristiques techniques
Caractéristiques
- Version NVMe: 2.0
- Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES
- Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To
- Facteur de forme SSD: M.2
- Interface: PCI Express 5.0
- NVMe: Oui
- Type de mémoire: V-NAND TLC
- composant pour: PC/Console de jeux
- Le chiffrement matériel: Oui
- Taille du SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Vitesse de lecture: 14700 Mo/s
- Vitesse d'écriture: 13300 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB): 1850000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB): 2600000 IOPS
- Flux de données d'interface PCI Express: x4
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif): Oui
- Support S.M.A.R.T.: Oui
- Support TRIM: Oui
- Temps moyen entre pannes: 1500000 h
Puissance
- Tension de fonctionnement: 3,3 V
- Consommation électrique moyenne (lecture): 7,6 W
- Consommation électrique moyenne (écriture): 7,2 W
Poids et dimensions
- Largeur: 80,2 mm
- Profondeur: 2,38 mm
- Hauteur: 22,1 mm
- Poids: 9 g
Informations sur l'emballage
- Type d'emballage: Boîte
Conditions environnementales
- Température d'opération: 0 - 70 °C
- Choc durant le fonctionnement: 1500 G
Autres caractéristiques
- Période de garantie: 5 année(s)
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