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Description

Samsung MZ-V9S1T0, 1 To, M.2, 7150 Mo/s

Caractéristiques techniques

Caractéristiques


  • Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif): Oui
  • Version NVMe: 2.0
  • Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES
  • Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To
  • Facteur de forme SSD: M.2
  • Interface: PCI Express 4.0
  • NVMe: Oui
  • Type de mémoire: V-NAND TLC
  • composant pour: PC
  • Le chiffrement matériel: Oui
  • Taille du SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
  • Vitesse de lecture: 7150 Mo/s
  • Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s
  • Lecture aléatoire (4KB): 850000 IOPS
  • Écriture aléatoire (4KB): 1350000 IOPS
  • Support S.M.A.R.T.: Oui
  • Support TRIM: Oui
  • Temps moyen entre pannes: 1500000 h

Puissance


  • Tension de fonctionnement: 3,3 V
  • Consommation électrique moyenne (lecture): 4,3 W
  • Consommation électrique moyenne (écriture): 4,2 W

Poids et dimensions


  • Largeur: 80,2 mm
  • Profondeur: 2,38 mm
  • Hauteur: 22,1 mm
  • Poids: 9 g

Conditions environnementales


  • Choc durant le fonctionnement: 1500 G
  • Température d'opération: 0 - 70 °C

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