Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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SKU:
108945
PRC:
560695
EAN:
8806095575674
PN:
MZ-V9S1T0BW
Description
Le SSD Samsung MZ-V9S1T0 de 1 To est une unité de stockage interne au format M.2 de taille 2280 (22 x 80 mm), conçue pour être montée dans un PC. Son interface PCI Express 4.0 et la version NVMe 2.0 lui permettent d'atteindre une vitesse de lecture de 7150 Mo/s et une vitesse d'écriture de 6300 Mo/s, avec 850000 IOPS en lecture aléatoire de 4 Ko et 1350000 IOPS en écriture aléatoire de 4 Ko. Il utilise de la mémoire V-NAND TLC et offre un temps moyen entre pannes de 1500000 h. Il intègre un chiffrement matériel avec des algorithmes AES 256 bits, ainsi que la prise en charge S.M.A.R.T., TRIM et la fonction DevSleep. Ses dimensions sont de 80,2 x 22,1 x 2,38 mm et son poids de 9 g, ce qui ajoute à peine du volume à l'équipement dans lequel vous l'installez.
Caractéristiques techniques
Caractéristiques
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif): Oui
- Version NVMe: 2.0
- Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES
- Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To
- Facteur de forme SSD: M.2
- Interface: PCI Express 4.0
- NVMe: Oui
- Type de mémoire: V-NAND TLC
- composant pour: PC
- Le chiffrement matériel: Oui
- Taille du SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Vitesse de lecture: 7150 Mo/s
- Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB): 850000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB): 1350000 IOPS
- Support S.M.A.R.T.: Oui
- Support TRIM: Oui
- Temps moyen entre pannes: 1500000 h
Puissance
- Tension de fonctionnement: 3,3 V
- Consommation électrique moyenne (lecture): 4,3 W
- Consommation électrique moyenne (écriture): 4,2 W
Poids et dimensions
- Largeur: 80,2 mm
- Profondeur: 2,38 mm
- Hauteur: 22,1 mm
- Poids: 9 g
Conditions environnementales
- Choc durant le fonctionnement: 1500 G
- Température d'opération: 0 - 70 °C
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