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Description

Le Samsung MZ-VAP4T0 est un disque SSD de 4 To au format M.2 2280, de 22 x 80 mm, qui se connecte via une interface PCI Express 5.0 à quatre voies. Il atteint des vitesses de lecture allant jusqu'à 14800 Mo/s et d'écriture allant jusqu'à 13400 Mo/s, avec 2200000 IOPS en lecture aléatoire de 4 Ko et 2600000 IOPS en écriture aléatoire. Il intègre une mémoire V-NAND TLC et est compatible NVMe, en plus de disposer du support S.M.A.R.T., TRIM et de la fonction DevSleep. Le chiffrement matériel avec des algorithmes AES 256 bits protège les données, et son temps moyen entre pannes est de 1500000 heures. Il est conçu pour une utilisation sur PC et consoles de jeux vidéo. Avec un poids de 30 g et des dimensions de 80,2 x 25 x 8,88 mm (largeur x hauteur x profondeur), il s'installe dans les emplacements M.2 compatibles.

Caractéristiques techniques

Caractéristiques


  • Support TRIM: Oui
  • Temps moyen entre pannes: 1500000 h
  • Version NVMe: 2.0
  • Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES
  • Capacité du Solid State Drive (SSD): 4 To
  • Facteur de forme SSD: M.2
  • Interface: PCI Express 5.0
  • NVMe: Oui
  • Type de mémoire: V-NAND TLC
  • composant pour: PC/Console de jeux
  • Le chiffrement matériel: Oui
  • Taille du SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
  • Vitesse de lecture: 14800 Mo/s
  • Vitesse d'écriture: 13400 Mo/s
  • Lecture aléatoire (4KB): 2200000 IOPS
  • Écriture aléatoire (4KB): 2600000 IOPS
  • Flux de données d'interface PCI Express: x4
  • Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif): Oui
  • Support S.M.A.R.T.: Oui

Puissance


  • Tension de fonctionnement: 3,3 V
  • Consommation électrique moyenne (lecture): 9 W
  • Consommation électrique moyenne (écriture): 8,2 W

Poids et dimensions


  • Largeur: 80,2 mm
  • Profondeur: 8,88 mm
  • Hauteur: 25 mm
  • Poids: 30 g

Informations sur l'emballage


  • Type d'emballage: Boîte

Conditions environnementales


  • Température d'opération: 0 - 70 °C
  • Choc durant le fonctionnement: 1500 G

Autres caractéristiques


  • Période de garantie: 5 année(s)

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