Samsung MZ-VAP8T0 8 To M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Marque: SAMSUNG
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2 033,70 €
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SKU:
119698
PRC:
609825
EAN:
8806095811680
PN:
MZ-VAP8T0BW
Description
Le SSD Samsung MZ-VAP8T0 de 8 To au format M.2 utilise l'interface PCI Express 5.0 et la mémoire V-NAND TLC pour offrir des vitesses de lecture de 14800 Mo/s et d'écriture de 13400 Mo/s. Avec la prise en charge NVMe et quatre voies de données, il atteint jusqu'à 2200000 IOPS en lecture aléatoire et 2600000 IOPS en écriture aléatoire de 4 Ko, conçu pour des charges de travail exigeantes sur PC ou ordinateur portable. Il inclut le chiffrement matériel avec algorithme AES 256 bits, les fonctions S.M.A.R.T., TRIM et DevSleep, ainsi qu'un temps moyen entre pannes de 1500000 heures. Il fonctionne à 3,3 V, idéal pour les systèmes nécessitant un stockage de haute capacité avec des performances soutenues.
Caractéristiques techniques
Caractéristiques
- Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES
- Capacité du Solid State Drive (SSD): 8 To
- Facteur de forme SSD: M.2
- Interface: PCI Express 5.0
- NVMe: Oui
- Type de mémoire: V-NAND TLC
- composant pour: PC/ordinateur portable
- Le chiffrement matériel: Oui
- Vitesse de lecture: 14800 Mo/s
- Vitesse d'écriture: 13400 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB): 2200000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB): 2600000 IOPS
- Flux de données d'interface PCI Express: x4
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif): Oui
- Support S.M.A.R.T.: Oui
- Support TRIM: Oui
- Temps moyen entre pannes: 1500000 h
Puissance
- Tension de fonctionnement: 3,3 V
Poids et dimensions
- Largeur: 80,2 mm
- Profondeur: 3,88 mm
- Hauteur: 22,1 mm
Informations sur l'emballage
- Type d'emballage: Boîte
Conditions environnementales
- Température d'opération: 0 - 70 °C
- Choc durant le fonctionnement: 1500 G
Autres caractéristiques
- Période de garantie: 5 année(s)
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