Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Marca: SAMSUNG
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SKU:
119698
PRC:
609825
EAN:
8806095811680
PN:
MZ-VAP8T0BW
Descrizione
Il Samsung SSD MZ-VAP8T0 da 8 TB in formato M.2 utilizza l'interfaccia PCI Express 5.0 e memoria V-NAND TLC per offrire velocità di lettura di 14800 MB/s e scrittura di 13400 MB/s. Con supporto NVMe e quattro linee dati, raggiunge fino a 2200000 IOPS in lettura casuale e 2600000 IOPS in scrittura casuale di 4KB, pensato per carichi di lavoro impegnativi su PC o notebook. Include crittografia hardware con algoritmo AES a 256 bit, funzioni S.M.A.R.T., TRIM e DevSleep, oltre a un tempo medio tra guasti di 1500000 ore. Opera a 3,3 V, ideale per sistemi che necessitano di storage ad alta capacità con prestazioni sostenute.
Specifiche
Caratteristiche
- Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES
- Capacità SSD: 8 TB
- Dimensione SSD: M.2
- Interfaccia: PCI Express 5.0
- NVMe: Sì
- Tipo memoria: V-NAND TLC
- Componente per: PC/PC portatile
- criptaggio hardware: Sì
- Velocità di lettura: 14800 MB/s
- Velocità di scrittura: 13400 MB/s
- Lettura casuale (4KB): 2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Scrittura casuale (4KB): 2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Linee dati dell'interfaccia PCI Express: x4
- Supporto di DevSIp (standby del dispositivo): Sì
- Supporto S.M.A.R.T.: Sì
- Supporto TRIM: Sì
- Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 h
Gestione energetica
- Tensione di esercizio: 3,3 V
Dimensioni e peso
- Larghezza: 80,2 mm
- Profondità: 3,88 mm
- Altezza: 22,1 mm
Dati su imballaggio
- Tipo di imballo: Scatola
Condizioni ambientali
- Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C
- Shock di funzionamento: 1500 G
Altre caratteristiche
- Durata della garanzia: 5 anno/i
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