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Descrizione

Il Samsung SSD MZ-VAP8T0 da 8 TB in formato M.2 utilizza l'interfaccia PCI Express 5.0 e memoria V-NAND TLC per offrire velocità di lettura di 14800 MB/s e scrittura di 13400 MB/s. Con supporto NVMe e quattro linee dati, raggiunge fino a 2200000 IOPS in lettura casuale e 2600000 IOPS in scrittura casuale di 4KB, pensato per carichi di lavoro impegnativi su PC o notebook. Include crittografia hardware con algoritmo AES a 256 bit, funzioni S.M.A.R.T., TRIM e DevSleep, oltre a un tempo medio tra guasti di 1500000 ore. Opera a 3,3 V, ideale per sistemi che necessitano di storage ad alta capacità con prestazioni sostenute.

Specifiche

Caratteristiche


  • Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES
  • Capacità SSD: 8 TB
  • Dimensione SSD: M.2
  • Interfaccia: PCI Express 5.0
  • NVMe: Sì
  • Tipo memoria: V-NAND TLC
  • Componente per: PC/PC portatile
  • criptaggio hardware: Sì
  • Velocità di lettura: 14800 MB/s
  • Velocità di scrittura: 13400 MB/s
  • Lettura casuale (4KB): 2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Scrittura casuale (4KB): 2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Linee dati dell'interfaccia PCI Express: x4
  • Supporto di DevSIp (standby del dispositivo): Sì
  • Supporto S.M.A.R.T.: Sì
  • Supporto TRIM: Sì
  • Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 h

Gestione energetica


  • Tensione di esercizio: 3,3 V

Dimensioni e peso


  • Larghezza: 80,2 mm
  • Profondità: 3,88 mm
  • Altezza: 22,1 mm

Dati su imballaggio


  • Tipo di imballo: Scatola

Condizioni ambientali


  • Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C
  • Shock di funzionamento: 1500 G

Altre caratteristiche


  • Durata della garanzia: 5 anno/i

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