Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Maggiori informazioni
Marca: SAMSUNG
Stock disponibile: 55 uds.
Descrizione
L'SSD Samsung MZ-V9S1T0 da 1 TB è un'unità di archiviazione interna con formato M.2 di dimensioni 2280 (22 x 80 mm), pensata per essere montata in un PC. La sua interfaccia PCI Express 4.0 e la versione NVMe 2.0 gli permettono di raggiungere una velocità di lettura di 7150 MB/s e una velocità di scrittura di 6300 MB/s, con 850000 IOPS in lettura casuale da 4 KB e 1350000 IOPS in scrittura casuale da 4 KB. Utilizza memoria V-NAND TLC e offre un tempo medio tra i guasti di 1500000 h. Incorpora crittografia hardware con algoritmi a 256-bit AES, oltre al supporto S.M.A.R.T., TRIM e alla funzione DevSleep. Le sue dimensioni sono di 80,2 x 22,1 x 2,38 mm e il suo peso di 9 g, per cui aggiunge appena volume al dispositivo in cui lo installi.
Specifiche
Caratteristiche
- Supporto di DevSIp (standby del dispositivo): Sì
- Versione di NVMe: 2.0
- Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES
- Capacità SSD: 1 TB
- Dimensione SSD: M.2
- Interfaccia: PCI Express 4.0
- NVMe: Sì
- Tipo memoria: V-NAND TLC
- Componente per: PC
- criptaggio hardware: Sì
- Dimensioni dell'unità SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocità di lettura: 7150 MB/s
- Velocità di scrittura: 6300 MB/s
- Lettura casuale (4KB): 850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Scrittura casuale (4KB): 1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Supporto S.M.A.R.T.: Sì
- Supporto TRIM: Sì
- Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 h
Gestione energetica
- Tensione di esercizio: 3,3 V
- Consumo energetico medio (lettura): 4,3 W
- Consumo energetico medio (scrittura): 4,2 W
Dimensioni e peso
- Larghezza: 80,2 mm
- Profondità: 2,38 mm
- Altezza: 22,1 mm
- Peso: 9 g
Condizioni ambientali
- Shock di funzionamento: 1500 G
- Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C
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