Samsung 9100 PRO Heatsink PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB
Maggiori informazioni
Marca: SAMSUNG
Stock disponibile: 17 uds.
Descrizione
Il Samsung MZ-VAP4T0 è un disco SSD da 4 TB in formato M.2 2280, da 22 x 80 mm, che si collega tramite interfaccia PCI Express 5.0 con quattro canali. Raggiunge velocità di lettura fino a 14800 MB/s e di scrittura fino a 13400 MB/s, con 2200000 IOPS in lettura casuale da 4 KB e 2600000 IOPS in scrittura casuale. Integra memoria V-NAND TLC ed è compatibile con NVMe, oltre a disporre di supporto S.M.A.R.T., TRIM e funzione DevSleep. La crittografia hardware con algoritmi AES a 256 bit protegge i dati, e il suo tempo medio tra i guasti è di 1500000 ore. È pensato per l'uso su PC e console per videogiochi. Con un peso di 30 g e dimensioni di 80,2 x 25 x 8,88 mm (larghezza x altezza x profondità), si installa in slot M.2 compatibili.
Specifiche
Caratteristiche
- Versione di NVMe: 2.0
- Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES
- Capacità SSD: 4 TB
- Dimensione SSD: M.2
- Interfaccia: PCI Express 5.0
- NVMe: Sì
- Tipo memoria: V-NAND TLC
- Componente per: PC/console di gioco
- criptaggio hardware: Sì
- Dimensioni dell'unità SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocità di lettura: 14800 MB/s
- Velocità di scrittura: 13400 MB/s
- Lettura casuale (4KB): 2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Scrittura casuale (4KB): 2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
- Linee dati dell'interfaccia PCI Express: x4
- Supporto di DevSIp (standby del dispositivo): Sì
- Supporto S.M.A.R.T.: Sì
- Supporto TRIM: Sì
- Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 h
Gestione energetica
- Tensione di esercizio: 3,3 V
- Consumo energetico medio (lettura): 9 W
- Consumo energetico medio (scrittura): 8,2 W
Dimensioni e peso
- Larghezza: 80,2 mm
- Profondità: 8,88 mm
- Altezza: 25 mm
- Peso: 30 g
Dati su imballaggio
- Tipo di imballo: Scatola
Condizioni ambientali
- Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C
- Shock di funzionamento: 1500 G
Altre caratteristiche
- Durata della garanzia: 5 anno/i
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