Beschreibung
Der Samsung MZ-VAP8T0 mit 8 TB im M.2-Format nutzt die PCI-Express-5.0-Schnittstelle und V-NAND-TLC-Speicher, um Lesegeschwindigkeiten von 14800 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von 13400 MB/s zu erreichen. Mit NVMe-Unterstützung und vier Datenleitungen erreicht er bis zu 2200000 IOPS bei zufälligem Lesen und 2600000 IOPS bei zufälligem Schreiben von 4KB, konzipiert für anspruchsvolle Arbeitslasten auf PC oder Laptop. Er enthält Hardwareverschlüsselung mit AES-256-Bit-Algorithmus, S.M.A.R.T.-Funktionen, TRIM und DevSleep sowie eine mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen von 1500000 Stunden. Er arbeitet mit 3,3 V und ist ideal für Systeme, die Speicher mit hoher Kapazität und nachhaltiger Leistung benötigen.
Angaben
Merkmale
- Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
- SSD Speicherkapazität: 8 TB
- SSD-Formfaktor: M.2
- Schnittstelle: PCI Express 5.0
- NVMe: Ja
- Speichertyp: V-NAND TLC
- Komponente für: PC/Laptop
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- Lesegeschwindigkeit: 14800 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s
- Zufälliges Lesen (4KB): 2200000 IOPS
- Zufälliges Schreiben (4KB): 2600000 IOPS
- PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4
- DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung: Ja
- S.M.A.R.T. Unterstützung: Ja
- TRIM-Unterstützung: Ja
- Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
Energie
- Arbeitsspannung: 3,3 V
Gewicht und Abmessungen
- Breite: 80,2 mm
- Tiefe: 3,88 mm
- Höhe: 22,1 mm
Verpackungsdaten
- Verpackungsart: Box
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
- Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
Sonstige Funktionen
- Garantiezeit: 5 Jahr(e)
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