Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Marque: SAMSUNG
959,01 €Stock disponible: 0 u.
En rupture de stock
SKU:
108943
PRC:
560636
EAN:
8806095575667
PN:
MZ-V9S4T0BW
Description
Le SSD Samsung de 4 To au format M.2 2280 est une unité à semi-conducteurs conçue pour les ordinateurs de bureau. Son interface PCI Express 4.0 et sa compatibilité avec NVMe 2.0 permettent d'atteindre des vitesses de lecture allant jusqu'à 7150 Mo/s et d'écriture allant jusqu'à 6300 Mo/s. La mémoire V-NAND TLC, associée à des chiffres de 850000 IOPS en lecture aléatoire et 1350000 IOPS en écriture aléatoire de 4 Ko, en font une option solide pour un usage quotidien et pour des charges de travail exigeantes. Elle intègre un chiffrement matériel avec des algorithmes AES 256 bits, ainsi qu'une prise en charge S.M.A.R.T. et TRIM pour maintenir l'unité en bon état. Avec des dimensions de 80,2 x 22,1 x 2,38 mm et un poids de 9 g, elle s'installe dans le logement M.2 de l'ordinateur sans ajouter de volume. Son temps moyen entre pannes de 1500000 heures soutient la fiabilité de l'ensemble tout au long de sa durée de vie.
Caractéristiques techniques
Caractéristiques
- Version NVMe: 2.0
- Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES
- Capacité du Solid State Drive (SSD): 4 To
- Facteur de forme SSD: M.2
- Interface: PCI Express 4.0
- NVMe: Oui
- Type de mémoire: V-NAND TLC
- composant pour: PC
- Le chiffrement matériel: Oui
- Taille du SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Vitesse de lecture: 7150 Mo/s
- Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB): 850000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB): 1350000 IOPS
- Support S.M.A.R.T.: Oui
- Support TRIM: Oui
- Temps moyen entre pannes: 1500000 h
Poids et dimensions
- Largeur: 80,2 mm
- Profondeur: 2,38 mm
- Hauteur: 22,1 mm
- Poids: 9 g
Conditions environnementales
- Température d'opération: 0 - 70 °C
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