Beschreibung
Das Samsung MZ-VAP2T0 ist eine 2-TB-SSD im M.2-2280-Format mit 22 x 80 mm, die über eine PCI-Express-5.0-Schnittstelle mit vier Lanes und NVMe 2.0 angebunden wird. Sie erreicht eine Lesegeschwindigkeit von 14700 MB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von 13400 MB/s, mit einer Leistung von 1850000 IOPS beim zufälligen Lesen und 2600000 IOPS beim zufälligen Schreiben über Blöcke von 4 KB. Ihr Speicher ist V-NAND TLC und sie ist für PCs und Spielkonsolen gedacht. Sie verfügt über 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung sowie Unterstützung für S.M.A.R.T., TRIM und eine DevSleep-Funktion. Ihre mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen beträgt 1500000 Stunden. Sie weist ein Gewicht von 30 g und Abmessungen von 80,2 x 25 x 8,88 mm (Breite x Höhe x Tiefe) auf. Es handelt sich um ein Solid-State-Laufwerk mit 2 TB, das die PCI-Express-5.0-Schnittstelle nutzt, um auf kompatiblen Geräten sehr schnelle Lese- und Schreibvorgänge zu bieten.
Angaben
Merkmale
- NVMe Version: 2.0
- Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
- SSD Speicherkapazität: 2 TB
- SSD-Formfaktor: M.2
- Schnittstelle: PCI Express 5.0
- NVMe: Ja
- Speichertyp: V-NAND TLC
- Komponente für: PC/Spielekonsole
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm)
- Lesegeschwindigkeit: 14700 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit: 13400 MB/s
- Zufälliges Lesen (4KB): 1850000 IOPS
- Zufälliges Schreiben (4KB): 2600000 IOPS
- PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4
- DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung: Ja
- S.M.A.R.T. Unterstützung: Ja
- TRIM-Unterstützung: Ja
- Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
Energie
- Arbeitsspannung: 3,3 V
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 8,1 W
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 7,9 W
Gewicht und Abmessungen
- Breite: 80,2 mm
- Tiefe: 8,88 mm
- Höhe: 25 mm
- Gewicht: 30 g
Verpackungsdaten
- Verpackungsart: Box
Betriebsbedingungen
- Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
- Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
Sonstige Funktionen
- Garantiezeit: 5 Jahr(e)
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