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Descrizione

Modulo di memoria Synology D4NESO-2666-4G da 4 GB in formato 260-pin SO-DIMM, progettato come memoria interna DDR4 con una velocità di clock di 2666 MHz e voltaggio di 1.2 V. Questo modulo singolo da 4 GB, tipo Unregistered (unbuffered), offre una configurazione di 1 x 4 GB per espandere o sostituire la memoria in dispositivi compatibili con questo fattore di forma. Con il suo design compatto e specifiche standard, garantisce un'integrazione semplice in sistemi che richiedono questo tipo di memoria.

Specifiche

Caratteristiche


  • Tipo di memoria tampone: Unregistered (unbuffered)
  • RAM installata: 4 GB
  • Configurazione della memoria (moduli x dimensione): 1 x 4 GB
  • Tipo di RAM: DDR4
  • Velocità memoria: 2666 MHz
  • Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM
  • Data Integrity Check (verifica integrità dati): No
  • Voltaggio della memoria: 1.2 V
  • Paese di origine: Taiwan
  • Prodotti compatibili: 20 series:RS820RP+, RS820+, DS920+, DS720+, DS420+, DS220+ 19 series:DS2419+, DS2419+II, DS1819+, DVA3219 18 series:DS1618+

Dati logistici


  • Codice del Sistema Armonizzato (SA): 84733020

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