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Descripción

Módulo de memoria Synology D4NESO-2666-4G de 4 GB en formato 260-pin SO-DIMM, diseñado como memoria interna DDR4 con una velocidad de reloj de 2666 MHz y voltaje de 1.2 V. Este módulo único de 4 GB, tipo Unregistered (unbuffered), ofrece una configuración de 1 x 4 GB para ampliar o sustituir la memoria en equipos compatibles con este factor de forma. Con su diseño compacto y especificaciones estándar, asegura una integración sencilla en sistemas que requieran este tipo de memoria.

Especificaciones

Características


  • Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
  • Memoria interna: 4 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
  • Tipo de memoria interna: DDR4
  • Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
  • Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM
  • ECC: No
  • Voltaje de memoria: 1.2 V
  • País de origen: Taiwán
  • Productos compatibles: 20 series:RS820RP+, RS820+, DS920+, DS720+, DS420+, DS220+ 19 series:DS2419+, DS2419+II, DS1819+, DVA3219 18 series:DS1618+

Datos logísticos


  • Código de Sistema de Armomización (SA): 84733020

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