Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Marque: SAMSUNG
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SKU:
108945
PRC:
560695
EAN:
8806095575674
PN:
MZ-V9S1T0BW
Description
Samsung MZ-V9S1T0, 1 To, M.2, 7150 Mo/s
Caractéristiques techniques
Caractéristiques
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif): Oui
- Version NVMe: 2.0
- Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES
- Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To
- Facteur de forme SSD: M.2
- Interface: PCI Express 4.0
- NVMe: Oui
- Type de mémoire: V-NAND TLC
- composant pour: PC
- Le chiffrement matériel: Oui
- Taille du SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Vitesse de lecture: 7150 Mo/s
- Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB): 850000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB): 1350000 IOPS
- Support S.M.A.R.T.: Oui
- Support TRIM: Oui
- Temps moyen entre pannes: 1500000 h
Puissance
- Tension de fonctionnement: 3,3 V
- Consommation électrique moyenne (lecture): 4,3 W
- Consommation électrique moyenne (écriture): 4,2 W
Poids et dimensions
- Largeur: 80,2 mm
- Profondeur: 2,38 mm
- Hauteur: 22,1 mm
- Poids: 9 g
Conditions environnementales
- Choc durant le fonctionnement: 1500 G
- Température d'opération: 0 - 70 °C
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