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Descripción

El módulo de memoria Samsung de 8 GB es una solución DDR4 de 3200 MHz pensada para ampliar o renovar la RAM de un portátil. Se presenta como un único módulo de 1 x 8 GB con factor de forma SO-DIMM de 260 pines, el formato habitual en equipos portátiles. Funciona con una latencia CAS de 21 y un voltaje de 1,2 V, dentro de la configuración de módulos 1024M x 8. Es de tipo unregistered (unbuffered), sin búfer en el propio módulo. Si tu portátil admite memoria DDR4 SO-DIMM a 3200 MHz, esta unidad de 8 GB permite sumar capacidad de forma directa.

Especificaciones

Características


  • Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
  • Latencia CAS: 21
  • Memoria interna: 8 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB
  • Tipo de memoria interna: DDR4
  • Velocidad de memoria del reloj: 3200 MHz
  • Componente para: Portátil
  • Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM
  • ECC: No
  • Voltaje de memoria: 1.2 V
  • Configuración de módulos: 1024M x 8

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